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ASML High-NA EUV光刻机突破8nm

ASML High-NA EUV光刻机突破8nm

8nm制程节点已突破,晶体管密度提升2.9倍——这不是技术演进,而是一场代际跨越。 技术参数:重新定义光刻极限 ASML最新量产的High-NA EUV光刻机(型号TWINSCAN EXE:5000)用一组硬核数字刷新了行业认知: 数值孔径从0.33提升至0.55,光学分辨率提升40%以上。这

小余 小余 2026-04-11
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